SIwave仿真手册——电源完整性仿真之PDN阻抗的提取（四）
（想不到我这个弱鸡的博主有一天也有被催更的时候，看到后台被催的消息，我慌了，赶紧写一篇把。）
一个完整的电源分配网络（PDN）包括：电源供电端（VRM）、去耦电容、电源平面电容、用电芯片（Sink）
对于噪声的滤除，有一些经验数据供大家参考：
- VRM的去耦频率一般在100kHz以内；
- 大容量的去耦电容在1M以内；
- 高频瓷片电容的去耦电容在100MHz左右；
- 电源平面构成的平板电容的去耦频率在500MHz左右，当然这个和平面结构及材料有关系；
- 芯片封装形成的电容可达几百GHz;
- 芯片的die电容可达几GHz
电源完整性按照频率可分为：直流分析、交流分析。
直流分析：直流压降、电流密度、过孔电流
交流分析：PDN阻抗提取。
3.1 PDN阻抗的提取
对于电源网络而言，供电引脚会有很多，如果在每个pin处都添加port，计算量太大，而且也没有必要；所以，将相同网络的pin角合并成pin group。
3.1.1手动完成PDN阻抗的提取
1、创建pin group
点击图标
→弹出下列对话框：
PCB界面会出现如下变化：
2、创建端口
点击图标 
→弹出如下对话框
3、数据文件的清理和检查（参考1.3.4&1.3.5）
4、添加电容模型（参考2.2.1）（这一步很重要）
5、开始仿真
6、查看仿真结果
未添加电容模型的仿真结果如下：
添加电容模型后的仿真结果如下：
其实可以看到两者差别还是很大的。所以要设置PDN网络上所有电容的正确型号。
3.1.2利用向导工具完成PDN阻抗的提取
1、点击图标
→弹出如下对话框
2、依次确定好层叠、padstack 、电路参数、（红框中带感叹号都要确定）
3、点击Configure PI Analysis→ 弹出如下对话框
在Ref.Imp 中填写VRM阻抗值(VRM:据说参考选用电源芯片的datasheet，但我没有找到这一项参数，听说也可以询问厂家)
VRM: Voltage Regulator Module，指板上LDO和DC-DC等电路。在几十kHz的低频范围内，VRM主要是电阻，具有较低的阻抗